MRF5P21045NR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 13. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 24 V
05010
20
30 40
60
70
80
90
6
16
10
8
12
14
IDQ
= 500 mA
f = 2140 MHz
28 V
32 V
250
108
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 14. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
= 28 Vdc, P
out
= 10 W Avg., and
ηD
= 25.5%.
MTTF calculator available at http:/www.freescale.com/rf. Select Tools/
Software/Application Software/Calculators to access the MTTF calcu?
lators by product.
107
106
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
W-CDMA TEST SIGNAL
246810
0.0001
100
0
PEAK?TO?AVERAGE (dB)
Figure 15. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single-Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
Figure 16. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
+203.84 MHz
+30
Channel BW
?IM3 in3.84 MHz BW3.84 MHz BW+IM3 in
3.84 MHz BW3.84 MHz BW
?ACPR in+ACPR in
PROBABILITY (%)
(dB)
0
?10
?40
?50
?60
?70
?80
?20
?25 2551510
20
0
?5
?10
?15
?20
?30
W?CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz Channel
Bandwidth @ 5 MHz Offset. IM3 Measured in
3.84 MHz Bandwidth @ 10 MHz Offset. PAR =
8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
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